據(jù)國家電力投資集團有限公司（以下簡稱“國家電投”）9月10日消息，近日，國家電投所屬國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創(chuàng)芯”）暨國家原子能機構(gòu)核技術（功率芯片質(zhì)子輻照）研發(fā)中心，完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付。

國家電投表示，這標志著我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術和工藝，補全了我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導體離子注入設備和工藝的全面國產(chǎn)化奠定了基礎。

據(jù)國家電投介紹，氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié)，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產(chǎn)品制造過程中起著關鍵作用，該領域核心技術及裝備工藝的缺失嚴重制約了我國半導體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展，特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口。核力創(chuàng)芯的技術突破，打破了國外壟斷。

核力創(chuàng)芯在遭遇外國關鍵技術及裝備封鎖的不利條件下，堅持自力更生，自主創(chuàng)新，打造新質(zhì)生產(chǎn)力，在不到三年的時間里，突破多項關鍵技術壁壘，實現(xiàn)了100%自主技術和100%裝備國產(chǎn)化，建成了我國首個核技術應用和半導體領域交叉學科研發(fā)平臺。首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計近萬小時的工藝及可靠性測試驗證，主要技術指標達到國際先進水平，獲得用戶高度評價。

來源：國家電投